microphase石墨烯合成裝置MPCVD-50介紹
用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫屬化物成膜等。
| 目的 ： | 用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設備。 通過增加氨氣、各種CVD反應氣體、升華固體前驅體、液體前驅體的引入單元， 可應用于氮化、硫屬化物（二硫化鉬MoS2等）層狀材料沉積等。 |
|---|---|
| 特征 ： |
|
LIB電池用Si負極材料上的碳涂層
二硫化鉬薄膜
長 CNT/Si 的 SEM 圖像
粉末狀 CNT 的 SEM 圖像
主要規(guī)格
| 基本配置 | 管式爐 | 正常使用溫度 | 400-1000℃ |
| 爐內尺寸 | 60mmφ×L260mm | ||
| 溫度控制 | 1區(qū)可編程溫度控制器 | ||
| 外形尺寸 | W300mm x H200mm x D186mm | ||
| 電容 | 700W | ||
| 芯管 | 材料 | 石英 | |
| 尺寸 | OD50mm x ID46mm x L900mm | ||
| 氣體控制 | 質量流量控制器 | ||
| 引入氣體類型 | 載氣：N2 或 Ar 還原氣體：H2 烴類氣體：C2H2 或 C2H4 或 CH4 | ||
| 真空計 | 波登管真空計 | ||
| 排氣泵 | 旋轉泵 | ||
| 外形尺寸 | W156mm x H200mm x D300mm | ||
| 液體物料引入系統(tǒng) | |||
| 催化劑前驅體引入機制 | |||
| 外形尺寸 | W1100mm×H1000mm×D500mm | ||
